相比之下，三星的12層HBM3E至今仍未獲得輝達（NVIDIA）認證通過，韓媒則是在日前揭露，三星與AMD達成一項供應協議，三星將供應12層HBM3E給MI350 AI 加速器使用，但現在美光 HBM4送樣，正在緊追SK 海力士進度，並努力拉開與三星在HBM市場的差距。
美光表示，HBM4 採用先進的 1β（1-beta）DRAM 製程與經驗豐富的 12 層封裝技術，並結合強大的記憶體內建自我測試（MBIST）功能，為開發下一代 AI 平台提供高效、可靠的整合解決方案。
此次推出的 HBM4 在性能與能源效率上大幅提升，記憶體介面寬達 2048 位元，傳輸速率每堆疊超過 2.0TB/s，較前一代提升超過 60%。這意味著在處理大型語言模型與思路鏈推理等 AI 應用時，能實現更高推論效率與反應速度，協助推動智慧醫療、金融科技、交通運輸等多元領域的技術突破。
在能源效率方面，美光延續 HBM3E 的優勢，再次刷新業界標準。HBM4 能以更低功耗提供更高吞吐量，能源效率提升超過 20%，不僅大幅降低資料中心能耗，也有助於降低總持有成本（TCO），為企業創造更高營運效益。
美光資深副總裁暨雲端記憶體事業部總經理 Raj Narasimhan 表示：「HBM4 展現卓越效能、領先頻寬與產業首屈一指的能源效率，進一步鞏固美光在高效能記憶體市場的技術優勢。透過與客戶緊密配合，我們的 HBM4 生產進度可無縫接軌下一代 AI 平台需求，並在適當時機擴大產能。」
美光指出，HBM4 將於 2026 年正式量產，搭配其完整的 AI 記憶體與儲存產品組合，將持續扮演推動智慧應用革新的關鍵角色。隨著 AI 技術的廣泛應用，美光也進一步強化其作為全球 AI 生態系統核心推手的戰略定位。
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